آلترمگنتیسم به عنوان یک کلاس جدید از مغناطیس، اخیراً توسط گروهی از محققان در دانشگاه ناتینگهام کشف شد و نشان دهنده یک پیشرفت مهم در فهم ما از مواد مغناطیسی است. این کشف به ویژه در زمینه میکروالکترونیک و ذخیره سازی داده ها اهمیت فراوانی دارد، زیرا ویژگیهای منحصر به فرد آلترمگنت ها می تواند منجر به انقلاب در فناوری های حافظه مغناطیسی و کاهش مصرف انرژی در دستگاه های دیجیتال شود. آلترمگنتیسم به طور بنیادی با مفاهیم فرومغناطیسم و آنتی فرومغناطیسم تفاوت دارد و می تواند به عنوان یک ماده جدید با ویژگی های منحصربهفرد در صنایع مختلف مورد استفاده قرار گیرد.
آلترمگنتیسم بهعنوان یک نوع خاص از نظم مغناطیسی تعریف میشود که در آن لحظات مغناطیسی در خلاف جهت هم و بهطور ضد موازی نسبت به یکدیگر قرار دارند، مشابه با آنتیفرومغناطیسم. اما تفاوت اساسی آن با آنتیفرومغناطیسم در این است که ساختار کریستالی که این لحظات مغناطیسی در آن قرار دارند، نسبت به واحدهای همسایه خود چرخیده است. این بهنوعی یک پیچش در ساختار مغناطیسی ایجاد میکند که باعث میشود خاصیتهای جدیدی در مواد آلترمغناطیس مشاهده شود.
در آلترمگنتها، لحظات مغناطیسی بهصورت ضد موازی با یکدیگر قرار میگیرند، مشابه آنتیفرومغناطیسم.
در آلترمگنتها، ساختار کریستالی مواد بهطور قابل توجهی چرخیده است، که این چرخش موجب ایجاد خواصی متفاوت از سایر انواع مواد مغناطیسی میشود.
ساختار کریستالی در آلترمگنتها دارای تقارن پیچیدهای است که موجب میشود این مواد خواص منحصر بهفردی در برابر میدانهای مغناطیسی و گرمایی از خود نشان دهند.
برای درک آلترمگنتیسم، نیاز به مدلهای نظری پیشرفته است. یکی از مدلهای اولیه که برای توصیف رفتار آلترمگنتها استفاده میشود، مدل هابل (Heisenberg model) است که به بررسی تعاملات اسپین در شبکههای مغناطیسی میپردازد. این مدلها بهویژه در تحلیل توزیع اسپینها و نحوه تعامل آنها در شبکههای آلترمغناطیسی مفید هستند. از دیگر مدلهای مورد استفاده، مدلهایی هستند که رفتار مواد آلترمغناطیسی در دماهای مختلف را با توجه به انرژیهای سطحی و درونی آنها بررسی میکنند.
در این مدلها، فرض بر این است که لحظات مغناطیسی (اسپینها) از طریق تعاملات نزدیک با یکدیگر و در خلاف جهت تنظیم میشوند. با اضافه کردن پیچش به ساختار کریستالی، این مدلها قادر به پیشبینی رفتارهای جدید مواد آلترمغناطیسی هستند.
اثر پیچش در ساختار کریستالی باعث میشود که آلترمگنتها بهطور خاص به تغییرات محیطی حساس باشند. این مدلها میتوانند رفتارهای ناهماهنگ مواد را در برابر میدانهای مغناطیسی و جریانهای الکتریکی پیشبینی کنند.
آزمایشهای تجربی بر پایه تکنیکهای پیشرفتهای مانند سینکروترون و اشعه ایکس انجام میشود تا ساختار دقیق و رفتار مغناطیسی آلترمگنتها مورد بررسی قرار گیرد. بهطور خاص، در این آزمایشها از ماکس IV در سوئد استفاده شده است، که یک تسریعدهنده الکترون است که اشعه ایکس با وضوح بالا تولید میکند. این اشعهها برای تصویربرداری از ساختار مغناطیسی مواد در مقیاس نانو استفاده میشوند. تکنیکهایی مانند تصویربرداری میکروسکوپیک الکترونی و مطالعه پراکندگی اشعه ایکس بهطور خاص در تحلیل آلترمگنتها بسیار مفید هستند.
این تکنیکها به محققان این امکان را میدهند که تغییرات ساختاری و مغناطیسی در مقیاس نانو را بهدقت مشاهده کنند.
این روش برای تحلیل توزیع لحظات مغناطیسی و تعاملات بین آنها استفاده میشود.
آلترمگنتها میتوانند در تولید حافظههای مغناطیسی جدید، مانند حافظههای MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) استفاده شوند. این نوع حافظهها میتوانند سرعت و ظرفیت ذخیرهسازی دادهها را بهطور چشمگیری افزایش دهند.
استفاده از آلترمگنتها در طراحی مدارهای الکترونیکی میتواند منجر به کاهش مصرف انرژی و افزایش سرعت پردازش شود. همچنین، از آنها میتوان در دستگاههای اسپینترونیک برای پردازش دادهها با استفاده از اسپین الکترونها استفاده کرد.
آلترمگنتها میتوانند جایگزینی برای مواد فرومغناطیسی و آنتیفرومغناطیسی سنتی باشند که معمولاً از عناصر نادر و سمی ساخته میشوند.
اگرچه آلترمگنتیسم یک کشف امیدوارکننده است، هنوز چالشهای زیادی در مسیر تجاریسازی این مواد وجود دارد. یکی از چالشها، تولید انبوه آلترمگنتها با کیفیت بالا و هزینه پایین است. همچنین، تحقیقات بیشتر در زمینه نحوه سازگاری این مواد با فناوریهای موجود و نحوه تولید دستگاههای مبتنی بر آلترمگنتها ضروری است.
تمرکز اصلی بر محدودیتهای جدید صادراتی، جنبههای قانونی و مطابق با تعهدات بینالمللی، تاثیرات ژئوپلیتیکی بر صنایع پیشرفته مانند فناوری و انرژی است.
این فرآیند با قرار دادن آهنربا در یک میدان مغناطیسی قوی، مثل دستگاههای مغناطیسکننده یا الکترومغناطیسها، انجام میشود که باعث میشود ذرات مغناطیسی داخل آهنربا دوباره همراستا شده و خاصیت مغناطیسی آن احیا شود.
گرما باعث کاهش یا از بین رفتن خاصیت مغناطیسی آهنربا میشود، زیرا انرژی گرمایی نظم حوزههای مغناطیسی را مختل میکند.
برای برش یا سوراخ کردن آهنربا بدون از دست دادن مغناطیس، از ابزارهای الماسی یا کاربیدی با سرعت پایین، خنککننده مایع و ثابت نگه داشتن آهنربا استفاده کنید.
روشهای مغناطیسزدایی آهنربا شامل حرارتی (گرم کردن تا دمای کوری)، میدان متناوب رو به کاهش (AC با شدت کمشونده)، ضربه یا ارتعاش مکانیکی (چکش زدن یا لرزش)، و استفاده از دمغناطیسکنندههای تخصصی است.